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50 OHM TYPICAL CHARACTERISTICS
47
45
43
41
39
48
47
46
45
V DD = 5 Vdc, f = 900 MHz, 10 dBm per Tone
Two--Tone Measurements, 1 MHz Tone Spacing
37
35
f = 900 MHz, 10 dBm per tone
Two--Tone Measurements, 1 MHz Tone Spacing
44
43
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
--40
--20
0
20
40
60
80
100
V DD , DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8. Third Order Output Intercept Point
versus Drain Voltage
--25
10 6
T, TEMPERATURE ( _ C)
Figure 9. Third Order Output Intercept Point
versus Case Temperature
--30
--35
--40
--45
--50
--55
--60
--65
V DD = 5 Vdc
f = 900 MHz
1 MHz Tone Spacing
10 5
--70
10
12
14
16
18
10 4
120
125
130
135
140
145
150
P out , OUTPUT POWER (dBm)
Figure 10. Third Order Intermodulation versus
Output Power
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
NOTE: The MTTF is calculated with V DD = 5 Vdc, I DD = 150 mA
Figure 11. MTTF versus Junction Temperature
8
6
4
2
0
V DD = 5 Vdc
--30
--40
--50
--60
--70
V DD = 5 Vdc, f = 2140 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
0
1
2
3
4
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
f, FREQUENCY (GHz)
Figure 12. Noise Figure versus Frequency
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
P out , OUTPUT POWER (dBm)
Figure 13. Single--Carrier W--CDMA Adjacent
Channel Power Ratio versus Output Power
MMH3111NT1
5
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